近日，中科院微電子所微電子設備研究室（八室）夏洋研究員帶領的研究團隊聯合嘉興微電子儀器與設備工程中心在多晶黑硅太陽能電池上再次獲得突破，電池轉換效率達到17.88％，直逼18％，為世界領先水平。

　　夏洋研究團隊原創性提出利用等離子體浸沒離子注入技術，在商用多晶硅（156×156mm2）襯底上制備黑硅材料，并將其成功應用于太陽能電池領域。該方法通過離子注入反應，形成致密的納米結構，起到良好的陷光作用，使多晶硅的光吸收達到99%，從而大大提升太陽能電池的轉換效率。其文章發表在Solar Energy Materials and Solar cells、Solar Energy、Energy Procedia、Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena、物理學報等多家期刊上，已申請專利30余項。

　　其類似的工作，如美國國家能源實驗室（NREL）采用高品質的區熔（Fz）單晶（8.9×8.9mm2）作為襯底，制備的黑硅太陽電池效率為18.2％，但尚處于實驗室樣品階段。（Nature Nanotechnology， 2012年）。

　　日前，該團隊和浙江省大型光伏生產企業密切合作，通過針對性的工藝改進，多晶黑硅太陽電池的轉換效率已經達到17.88％（156mm*156mm），該技術的應用將為我國光伏企業擺脫目前困境。